图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 117 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 45nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2610pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 117@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 23 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 117@10V |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 117 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2610pF @ 100V |
| 其他名称 | FDS2734TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 4 x 5 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 4mm |
| 最大漏源电阻 | 225 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SO-8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 32 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1960 pF V @ 100 |
| 宽度 | 5mm |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1960 pF @ 100 V |
| 系列 | UltraFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 225 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5mm |
| 尺寸 | 4 x 5 x 1.5mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns |
| 封装类型 | SOIC |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | MOSFET |
| 下降时间 | 11 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | UltraFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 15.1 S |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 97 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDS2734 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 上升时间 | 11 ns |
| 技术 | Si |
+FDS2734也可以通过以下分类找到
+FDS2734相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家