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| 规格书 |
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| 文档 |
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 109 mOhm @ 1.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SSOT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 27 A |
| RDS -于 | 109@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 4.3 ns |
| 典型上升时间 | 1.3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 7.8 ns |
| 典型下降时间 | 3.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 109@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SSOT |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大连续漏极电流 | 27 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.7A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 109 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 210pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDN8601CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 1.4 x 2.92 x 0.94mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 1.4mm |
| 最大漏源电阻 | 183 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SuperSOT3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 3 nC V @ 0 → 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 156 pF V @ 50 |
| 宽度 | 2.92mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 2.7 A |
| 系列 | FDN8601 |
| 封装/外壳 | SuperSOT-3 |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| RDS（ON） | 85.4 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 8 S |
| 上升时间 | 1.3 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 3 nC |
| Continuous Drain Current Id | :2.7A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0854ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :1.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SuperSOT |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.000015 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.7A (Ta) |
FDN8601也可以通过以下分类找到
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