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文档 |
Mold Compound 08/April/2008 Wire Bonding 07/Nov/2008 Multiple Devices 27/Feb/2012 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 40 mOhm @ 2.6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8.1nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 630pF @ 15V |
功率 - 最大 | 460mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±16 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 40@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SuperSOT |
最大功率耗散 | 500 |
最大连续漏极电流 | 2.6 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.6A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 3-SSOT |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 40 mOhm @ 2.6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 460mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 630pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8.1nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 2.6 A |
栅源电压(最大值) | �16 V |
功率耗散 | 0.5 W |
安装 | Surface Mount |
漏源导通电阻 | 0.04 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SuperSOT |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 30 V |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :2.6A |
Drain Source Voltage Vds | :30V |
On Resistance Rds(on) | :40mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :1.4V |
功耗 | :500mW |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :SuperSOT |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Id Max | :2.6A |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Pulse Current Idm | :10A |
SMD Marking | :372 |
端接类型 | :SMD |
Voltage Vds Typ | :30V |
Voltage Vgs Max | :16V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Voltage Vgs th Max | :3V |
Weight (kg) | 0.000015 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | IRLML0030TRPBF |
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