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厂商型号

FDN372S 

产品描述

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

内部编号

3-FDN372S

#1

数量:128063
1+¥1.541
25+¥1.3869
100+¥1.3869
500+¥1.3098
1000+¥1.2328
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:294000
1+¥1.6686
11+¥1.2051
31+¥1.1124
101+¥1.0197
最小起订量:1
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#3

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FDN372S产品详细规格

规格书 FDN372S datasheet 规格书
FDN372S
FDN372S datasheet 规格书
文档 Mold Compound 08/April/2008
Wire Bonding 07/Nov/2008
Multiple Devices 27/Feb/2012
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 40 mOhm @ 2.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8.1nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 630pF @ 15V
功率 - 最大 460mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 3-SSOT
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±16
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 40@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SuperSOT
最大功率耗散 500
最大连续漏极电流 2.6
引脚数 3
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 3,000
供应商设备封装 3-SSOT
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 40 mOhm @ 2.6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 460mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 630pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.1nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流 2.6 A
栅源电压(最大值) �16 V
功率耗散 0.5 W
安装 Surface Mount
漏源导通电阻 0.04 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SuperSOT
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :2.6A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :40mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.4V
功耗 :500mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SuperSOT
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :2.6A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm :10A
SMD Marking :372
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :16V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :3V
Weight (kg) 0.000015
Tariff No. 85412900
associated IRLML0030TRPBF

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  • 苏州
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