规格书 |
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文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 4nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 220pF @ 15V |
功率 - 最大 | 460mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.94 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 500 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 100@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.4 |
供应商封装形式 | SuperSOT |
包装长度 | 2.92 |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 1.8 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.8A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 3-SSOT |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 460mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 220pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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