图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 60 mOhm @ 2.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.9nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 460mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SuperSOT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A |
| RDS -于 | 600@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 典型下降时间 | 3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 600@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 其他名称 | FDN357NTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 2.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 460mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 235pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.9nC @ 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.92 x 1.4 x 0.94mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 2.92mm |
| 最大漏源电阻 | 0.6 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SuperSOT |
| 典型栅极电荷@ VGS | 4.2 nC V @ 5 |
| 典型输入电容@ VDS | 235 pF V @ 10 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 1.9 A |
| 封装/外壳 | SuperSOT |
| 零件号别名 | FDN357N_NL |
| 下降时间 | 12 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | FDN357N |
| RDS（ON） | 81 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 上升时间 | 12 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 漏极电流（最大值） | 1.9 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.6 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :1.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.081ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.6V |
| 功耗 | :500mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SuperSOT |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.01 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current Id Max | :1.9A |
| Current Temperature | :25°C |
| 外部深度 | :2.5mm |
| External Length / Height | :1.12mm |
| 外宽 | :3.05mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :10A |
| Reel Quantity | :3000 |
| SMD Marking | :357 |
| 胶带宽度 | :8mm |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :1.6V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| associated | FDN357N IRLML0030TRPBF 120-5. 3209885-M 631954 |
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