规格书 |
FDMS8333L |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 22A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.1 mOhm @ 22A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 64nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4545pF @ 20V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | Power56 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDMS8333L&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 22A (Ta), 76A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
供应商设备封装 | Power56 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.1 mOhm @ 22A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 3,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4545pF @ 20V |
其他名称 | FDMS8333LTR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 64nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 76 A |
系列 | FDMS8333 |
封装/外壳 | Power 56 |
单位重量 | 0.003175 oz |
RDS(ON) | 3.1 mOhms |
功率耗散 | 69 W |
下降时间 | 4.2 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
正向跨导 - 闵 | 120 S |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
上升时间 | 4.7 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 40 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 46 nC |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
Qg - Gate Charge | 46 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
商品名 | PowerTrench |
Id - Continuous Drain Current | 76 A |
长度 | 6 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.1 mOhms |
身高 | 1.1 mm |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
Pd - Power Dissipation | 69 W |
技术 | Si |
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