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| 文档 |
Mold Compound 27/March/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 780pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC75-6 FLMP |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SC-75 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 780pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDJ129PDKR |
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