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| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 27/March/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 543pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC75-6 FLMP |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SC-75 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 543pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDJ128NDKR |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :5.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :35mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :1.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-75 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Pulse Current Idm | :16A |
| SMD Marking | :.8 |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管类型 | :Trench |
| Voltage Vds Typ | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :4.5V |
| Voltage Vgs th Max | :1.5V |
| Weight (kg) | 0.0025 |
| Tariff No. | 85412900 |
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