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#1 |
数量:12435 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:12435 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:518 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632 |
| 文档 |
Plating Material 20/Dec/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 150 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 110nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 9@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 30 ns |
| 典型上升时间 | 39 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 典型下降时间 | 46 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 9@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大功率耗散 | 310000 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 310W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 110nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 封装/外壳 | TO-247 |
| 零件号别名 | FDH3632_NL |
| 下降时间 | 46 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.225401 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | FDH3632 |
| RDS（ON） | 7.5 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 310 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 39 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.009 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :80A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :9mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 功耗 | :310W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :80A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :100V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| associated | IRFP4310ZPBF FDH3632 |
FDH3632也可以通过以下分类找到
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