图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:122278 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:122278 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3986 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 700mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 113pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16709?mpart=FDG6335N&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 6SC-70 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.7 A |
| RDS -于 | 300@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 典型下降时间 | 1.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-323 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 300@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SC-70 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大连续漏极电流 | 0.7 |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 700mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 113pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.4nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDG6335NCT |
| 漏极电流（最大值） | 0.7 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.3 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SC-70 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 0.7 A |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 系列 | PowerTrench® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 113pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 113 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 440 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.3 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.25mm |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 9 ns |
| 封装类型 | SC-70 |
| 最大连续漏极电流 | 700 mA |
| 引脚数目 | 6 |
| 正向跨导 | 2.8S |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 封装/外壳 | SOT-323-6 |
| 下降时间 | 7 ns |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2.8 S |
| Id - Continuous Drain Current | 700 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDG6335N |
| 身高 | 1.1 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 上升时间 | 7 ns |
| 技术 | Si |
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