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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDD86102LZ 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-FDD86102LZ

#1

数量:6515
5+¥6.798
50+¥5.846
250+¥4.486
1250+¥4.398
2500+¥4.314
最小起订量:5
英国伦敦
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#2

数量:6515
5+¥6.798
50+¥5.846
250+¥4.486
1250+¥4.398
2500+¥4.314
最小起订量:5
英国伦敦
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#3

数量:745
5+¥8.322
50+¥6.4505
250+¥5.9565
1250+¥5.8425
2500+¥5.7285
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDD86102LZ产品详细规格

规格书 FDD86102LZ datasheet 规格书
FDD86102LZ datasheet 规格书
FDD86102LZ datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS 22.5 mOhm @ 8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 26nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1540pF @ 50V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 8 A
RDS -于 22.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 6.6 ns
典型上升时间 2.3 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
筛选等级 Commercial
最大功率耗散 3100
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 22.5@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
包装高度 2.39(Max)
最大连续漏极电流 8
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Ta), 35A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 22.5 mOhm @ 8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1540pF @ 50V
闸电荷(Qg ) @ VGS 26nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDD86102LZFSCT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高 2.39mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 40 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 54 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 18 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1157 pF V @ 50
宽度 6.22mm
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :42A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :0.0178ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.5V
功耗 :54W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm :40A
Weight (kg) 0.0003
Tariff No. 85412900

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