图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 15.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8.5 mOhm @ 14A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 52nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1970pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| RDS -于 | 11@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 典型下降时间 | 9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3800 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 11@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.39(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 21 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15.2A (Ta), 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.5 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1970pF @ 20V |
| 其他名称 | FDD8447LTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 52nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 身高 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 14 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 44 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | DPAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 37 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1970 pF V @ 20 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 漏极电流（最大值） | 21 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.011 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 21 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :50A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.007ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
| 功耗 | :44W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.01 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| associated | FDD8447L |
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