1. FDD6796A
  2. FDD6796A

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDD6796A 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 25V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-FDD6796A

#1

数量:737738
1+¥5.4705
25+¥5.0853
100+¥4.8541
500+¥4.623
1000+¥4.3918
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:737738
1+¥5.4705
25+¥5.0853
100+¥4.8541
500+¥4.623
1000+¥4.3918
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:498
1+¥7.6582
10+¥6.1881
100+¥4.7522
500+¥4.1983
1000+¥3.3163
2500+¥2.9402
10000+¥2.824
25000+¥2.6462
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDD6796A产品详细规格

规格书 FDD6796A datasheet 规格书
FDD6796A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 25V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 20A
Rds(最大)@ ID,VGS 5.7 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1780pF @ 13V
功率 - 最大 3.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 25 V
最大连续漏极电流 20 A
RDS -于 5.7@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 4 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 3700
最大漏源电压 25
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 5.7@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.6
引脚数 3
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 20
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 20A (Ta), 40A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 25V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5.7 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.7W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1780pF @ 13V
其他名称 FDD6796ATR
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 20 A
系列 FDD6796A
单位重量 0.009184 oz
RDS(ON) 5.7 mOhms
功率耗散 3.7 W
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 DPAK
上升时间 7 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 25 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 1 Channel
商品名 PowerTrench
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 20 A
长度 6.73 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 5.7 mOhms
身高 2.39 mm
Pd - Power Dissipation 3.7 W
技术 Si

FDD6796A系列产品

FDD6796A相关搜索

订购FDD6796A.产品描述:Trans MOSFET N-CH 25V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R. 生产商: fairchild semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149921
    010-57196138
    010-82149488
    010-82149008
    010-62155488
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67687578
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com