标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
4.9A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
720 mOhm @ 1.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
11nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
234pF @ 100V |
功率 - 最大 |
1.6W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
D-Pak |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 |
±20 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
175 |
通道模式 |
Enhancement |
标准包装名称 |
DPAK |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
封装 |
Tape and Reel |
最大漏源电阻 |
720@10V |
最大漏源电压 |
200 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
TO-252AA |
最大功率耗散 |
42000 |
最大连续漏极电流 |
4.9 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
4.9A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
200V |
标准包装 |
2,500 |
供应商设备封装 |
D-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
720 mOhm @ 1.5A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
1.6W |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
234pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
11nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |