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#1 |
数量:19538 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:19538 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:977 |
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最小起订量:1 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.3 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 214nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 12585pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 254W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 31 A |
| RDS -于 | 2.7@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 典型上升时间 | 213 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 79 ns |
| 典型下降时间 | 49 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 2.7@4.5V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 254000 |
| 最大连续漏极电流 | 31 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.3 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 254W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 12585pF @ 15V |
| 其他名称 | FDB8860TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 214nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 3.6 mΩ |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 254 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-263AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 165 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 9460 pF V @ 15 |
| 宽度 | 11.33mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 系列 | FDB8860 |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| RDS（ON） | 1.9 mOhms |
| 功率耗散 | 254 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 上升时间 | 213 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 49 ns |
| Continuous Drain Current Id | :31A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :1.6mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.7V |
| 功耗 | :254W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | :31A |
| Current Temperature | :25°C |
| 外部深度 | :15.49mm |
| External Length / Height | :4.69mm |
| 外宽 | :10.54mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| SMD Marking | :FDB8860 |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :3V |
| Voltage Vgs th Min | :1V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85332100 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D2 PAK FK 244 08 D2 PAK |
FDB8860也可以通过以下分类找到
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