标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 22A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 80 mOhm @ 11A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 56nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1911pF @ 75V |
功率 - 最大 | 93W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263AB |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 22A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
标准包装 | 800 |
供应商设备封装 | TO-263AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 80 mOhm @ 11A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 93W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1911pF @ 75V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 56nC @ 10V |
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