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文档 |
Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 50V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 210mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 1.1nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 38pF @ 25V |
功率 - 最大 | 340mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-70, SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-323 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 50 V |
最大连续漏极电流 | 0.21 A |
RDS -于 | 3500@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 2.3 ns |
典型上升时间 | 1.9 ns |
典型关闭延迟时间 | 6.7 ns |
典型下降时间 | 6.5 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 1.25 |
PCB | 3 |
筛选等级 | Commercial |
最大功率耗散 | 340 |
最大漏源电压 | 50 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 3500@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOT-323 |
标准包装名称 | SOT-323 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 2 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 1 |
最大连续漏极电流 | 0.21 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 210mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
供应商设备封装 | SOT-323 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 340mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 38pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 1.1nC @ 10V |
封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSS138WCT |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 0.21 A |
系列 | BSS138W |
单位重量 | 0.001058 oz |
RDS(ON) | 6 Ohms |
功率耗散 | 340 mW |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-323 |
漏源击穿电压 | 50 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅源电压(最大值) | �20 V |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOT-323 |
极性 | N |
类型 | Small Signal |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 50 V |
弧度硬化 | No |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管材料 | Si |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 2mm |
典型输入电容值@Vds | 38 pF @ 25 V |
通道模式 | 增强 |
高度 | 0.9mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 6 Ω |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
通道类型 | N |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 0.34 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 1.25mm |
尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm |
正向二极管电压 | 1.4V |
最小栅阈值电压 | 0.8V |
最大漏源电压 | 50 V |
典型接通延迟时间 | 5 ns |
典型关断延迟时间 | 36 ns |
封装类型 | SOT-323 |
最大连续漏极电流 | 210 mA |
引脚数目 | 3 |
正向跨导 | 0.12S |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 210 mA |
身高 | 1 mm |
长度 | 2 mm |
通道数 | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 340 mW |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
技术 | Si |
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