图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 210mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.1nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 38pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 340mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-323 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.21 A |
| RDS -于 | 3500@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 2.3 ns |
| 典型上升时间 | 1.9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 6.7 ns |
| 典型下降时间 | 6.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.25 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 340 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 3500@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-323 |
| 标准包装名称 | SOT-323 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 0.21 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 210mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | SOT-323 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 340mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 38pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.1nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSS138WCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.21 A |
| 系列 | BSS138W |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| RDS（ON） | 6 Ohms |
| 功率耗散 | 340 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-323 |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-323 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 50 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 38 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.9mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.34 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.25mm |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns |
| 封装类型 | SOT-323 |
| 最大连续漏极电流 | 210 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 正向跨导 | 0.12S |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 210 mA |
| 身高 | 1 mm |
| 长度 | 2 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 340 mW |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
BSS138W也可以通过以下分类找到
BSS138W相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家