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厂商型号

+BD241BTU 

产品描述

Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

内部编号

3-BD241BTU

#1

数量:1950
1+¥2.6197
25+¥2.4656
100+¥2.3885
500+¥2.2344
1000+¥2.1574
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1950
1+¥2.6197
25+¥2.4656
100+¥2.3885
500+¥2.2344
1000+¥2.1574
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

+BD241BTU产品详细规格

文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.2V @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 25 @ 1A, 4V
功率 - 最大 40W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 3
最小直流电流增益 25@1A@4V|10@3A@4V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 40000
供应商封装形式 TO-220
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 25 @ 1A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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