图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 140V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 500mA, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 70 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 频率转换 | 30MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-3P(N) |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 140 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 70@3A@4V |
| 最大工作频率 | 30(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.5A@5A V |
| 最大集电极基极电压 | 200 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 100000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 200 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 140 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 140 V |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P |
| 连续集电极电流 | - 10 A |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Tube |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 零件号别名 | FJA4210OTU_NL |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P(N) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 30(Typ) |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 200 |
| 供应商封装形式 | TO-3P(N) |
| 最大集电极发射极电压 | 140 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 30MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 500mA, 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 140V |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 70 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 单位重量 | 0.225789 oz |
| 系列 | FJA4210 |
| 集电极电流（DC ） | 10 A |
| 集电极 - 基极电压 | 200 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 140 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 频率 | 30 MHz |
| 功率耗散 | 100 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-3P(N) |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 70 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| Board Level Components | Y |
| 最大直流集电极电流 | 10 A |
| 最大集电极-基极电压 | -200 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最大集电极-发射极电压 | 140 V |
| 高度 | 20.1mm |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 宽度 | 5mm |
| 封装类型 | TO-3P |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 50 |
| 长度 | 15.8mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.5 V |
| 最大工作频率 | 30 MHz |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| 宽度 | 5 mm (Max) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 15.8 mm (Max) |
| 身高 | 18.9 mm (Max) |
| Pd - Power Dissipation | 100 W |
FJA4210OTU也可以通过以下分类找到
FJA4210OTU相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家