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厂商型号

2SC3503CSTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN 300V 0.1A 7W

内部编号

3-2SC3503CSTU

#1

数量:1769
1+¥1.654
25+¥1.438
100+¥1.438
250+¥1.438
500+¥1.366
1000+¥1.366
最小起订金额:¥3000
美国纽约
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1434
1+¥5.4769
25+¥4.9212
100+¥4.5244
500+¥3.8894
最小起订量:1
阿姆斯特丹
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#3

数量:1434
最小起订量:1
美国纽约
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SC3503CSTU产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,920
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 10mA, 10V
功率 - 最大 7W
频率转换 150MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 0.1
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 150(Typ)
包装宽度 3.25
PCB 3
最大功率耗散 7000
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-126
标准包装名称 TO-225-AA
最高工作温度 150
包装长度 8
最大集电极发射极电压 300
最小直流电流增益 40@10mA@10V
包装高度 11
最大基地发射极电压 5
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 2mA, 20mA
标准包装 1,920
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 7W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 10mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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