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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 25mA @ 20V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | - |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 30V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 10pF @ 12V (VGS) |
| 电阻 - RDS（ON） | 60 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Bulk |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大门源电压 | -30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Bulk |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大漏极栅极电压 | 30 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 30V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 25mA @ 20V |
| 电阻 - RDS（ON） | 60 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 10pF @ 12V (VGS) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 30 V |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| RDS（ON） | 60 Ohms |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 24 mA to 60 mA |
| RoHS | RoHS Compliant |
| associated | 80-4-5 |
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