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文档 |
Multiple Devices 28/Aug/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 105 mOhm @ 2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 260pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) |
供应商器件封装 | 8-PSOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8Power SOP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 4 A |
RDS -于 | 105@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
典型上升时间 | 5 ns |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
典型下降时间 | 30 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 4A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
供应商设备封装 | 8-PSOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 105 mOhm @ 2A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 2W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 260pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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