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| 规格书 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | * |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 37.5pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 29.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | MP-3A |
| 包装材料 | |
| 包装 | 3MP-3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 1 A |
| RDS -于 | 17500@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 30 ns |
| 典型上升时间 | 14.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 典型下降时间 | 77 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 6.1 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 29700 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 17500@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | MP-3A |
| 标准包装名称 | MP-3A |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.6 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.3 |
| 最大连续漏极电流 | 1 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 系列 | * |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | MP-3A |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 29.7W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 37.5pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS Compliant |
| 其他名称 | RJK6025DPD-00#J2DKR |
| 连续漏极电流 | 1 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 29.7 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | MP-3A |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1A (Ta) |
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