图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
RJH60D5DPK |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| IGBT 型 | Trench |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 75A |
| 功率 - 最大 | 200W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| P（ TOT ） | 200W |
| 匹配代码 | RJH60D5DPK-00#T0 |
| I（C ） | 75A |
| TD （上） | 50nS |
| 包装 | TO-3P |
| 单位包 | 30 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 1328 |
| T（ R） | 40nS |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| TD （关闭） | 135nS |
| 技术 | thinWafer |
| 汽车 | NO |
| V（ CE ） | 600V |
| V（ CESAT ） | 1.6V |
| Bodydiode | yes |
| 安装 | THT |
| 栅极电荷 | 78nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 75A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 1 |
| 开关能量 | 1.05mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 50ns/135ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.2V @ 15V, 37A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 反向恢复时间（trr ） | 100ns |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| IGBT类型 | Trench |
| 测试条件 | 300V, 37A, 5 Ohm, 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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