NP88N04KUG-E1-AZ

产品描述

MOSFET N-CH 40V 88A TO-263

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规格书	NP88N04KUG
文档	Multiple Devices 28/Aug/2013 Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013
标准包装	800
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	88A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.9 mOhm @ 44A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	250nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	15000pF @ 25V
功率 - 最大	1.8W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	88A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装	TO-263
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.9 mOhm @ 44A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.8W
标准包装	800
漏极至源极电压（Vdss）	40V
输入电容（Ciss ） @ VDS	15000pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	250nC @ 10V

型号	厂家	产品描述
NP88N04KUG-E1-AY	renesas electronics	Trans MOSFET N-CH 40V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
NP88N04NUG-S18-AY	renesas electronics	LOW VOLTAGE POWER MOSFET
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