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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.2 mOhm @ 37.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 141nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-HSON |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8HSON |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 75 A |
| RDS -于 | 6.2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 270 ns |
| 典型下降时间 | 180 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.4(Max) |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 6.2@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 5.4 |
| 供应商封装形式 | HSON |
| 包装长度 | 5.15 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 75 |
| 引脚数 | 8 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-HSON |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.2 mOhm @ 37.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 141nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NP75P03YDG-E1-AYDKR |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | HSON |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
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