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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 28/Aug/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 200 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 75V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 83A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8.5 mOhm @ 42A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 150nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8500pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-220 Isolated |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 最大连续漏极电流 | 83 A |
| RDS -于 | 8.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 35 ns |
| 典型上升时间 | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 典型下降时间 | 16 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bag |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 83A (Tc) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.5 mOhm @ 42A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8500pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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