NTR,UMY1N.jpg "UMG11NTR")
图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2278 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:2746 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3000 |
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最小起订量:1 加拿大温哥华 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 EMG11, UMG11N, FMG11A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 2.2k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 47k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | 250MHz |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 |
| 供应商器件封装 | UMT5 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Pre-Biased Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-pre-biased-transistor-arrays/15805?mpart=UMG11NTR&vendor=846&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 2.2k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | UMT5 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | UMG11NCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 典型输入电阻 | 2.2 kOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 典型电阻器比率 | 21 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | UMG11N |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 身高 | 0.77 mm |
| 长度 | 2 mm |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
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