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数量:3000 |
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| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 4.7k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 47k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | 250MHz |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 |
| 供应商器件封装 | UMT5 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 4.7k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | UMT5 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 典型输入电阻 | 4.7 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 配置 | Dual Common Emitter |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 100 mA |
| 系列 | UMA11N |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 身高 | 0.77 mm |
| 长度 | 2 mm |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
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