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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SSTA06T116 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN 80V 0.5A

内部编号

293-SSTA06T116

生产厂商

ROHM Semiconductor

rohm

#1

数量:461
1+¥2.9402
10+¥2.0718
100+¥0.9504
1000+¥0.7316
3000+¥0.6222
9000+¥0.5675
24000+¥0.5265
45000+¥0.4718
99000+¥0.4445
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:5409
1+¥3.8418
10+¥2.7102
25+¥2.224
100+¥1.7784
250+¥1.2933
500+¥1.051
1000+¥0.8084
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SSTA06T116产品详细规格

规格书 SSTA06T116 datasheet 规格书
SSTA06, MMSTA06
SSTA06T116 datasheet 规格书
SSTA06T116 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 350mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SST3
包装材料 Tape & Reel (TR)
单位包 3000
最小起订量 3000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SST3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
其他名称 SSTA06T116TR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.25 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 4 V
最大功率耗散 0.35 W
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 100 at 10 mA at 1 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.5 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.5 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :200mW
DC Collector Current :100mA
DC Current Gain hFE :100
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Vces :250mV
Current Ic Continuous a Max :100mA
Gain Bandwidth ft Typ :100MHz
Hfe Min :100
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.00003
Tariff No. 85412900

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