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数量:23785 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 8,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 200mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-723 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 8000 |
| 最小起订量 | 8000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 200mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | VMT3 |
| 其他名称 | RTM002P02T2LTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | +/- 0.2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2 Ohms |
| 功率耗散 | 0.15 W |
| 封装/外壳 | VMT-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 上升时间 | 6 ns |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 类型 | MOSFET |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 200 mA |
| 长度 | 1.2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | RTM002P02 |
| 身高 | 0.5 mm |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 技术 | Si |
| kits | 846-1002-KIT |
| associated | LTC4414EMS8#PBF 00 CF SA 3099725-M |
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