规格书 |
RRQ045P03 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1350pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSMT6 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 4.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
供应商设备封装 | TSMT6 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.25W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1350pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 14nC @ 5V |
封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | RRQ045P03CT |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
连续漏极电流 | - 4.5 A |
RDS(ON) | 25 mOhms |
功率耗散 | 1.25 W |
封装/外壳 | TSMT6 |
配置 | Single |
漏源击穿电压 | - 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 14 nC |
栅源电压(最大值) | �20 V |
安装 | Surface Mount |
工作温度范围 | -55C to 150C |
引脚数 | 6 |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 30 V |
弧度硬化 | No |
包装类型 | TSMT |
产品 | MOSFET Small Signal |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
Qg - Gate Charge | 14 nC |
工厂包装数量 | 3000 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | - 4.5 A |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
技术 | Si |
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