RQ3E100MNTB1

产品描述

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

内部编号

生产厂商

数量:5434

最小起订量:1
美国费城
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质量保障

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支付方式

标准包装	3,000;;其他的名称；
其他名称	RQ3E100MNTB1TR
标准包装	3,000
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	3000
Id - Continuous Drain Current	10 A
晶体管类型	1 N-Channel
Qg - Gate Charge	9.9 nC
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
安装风格	SMD/SMT
品牌	ROHM Semiconductor
封装/外壳	HSMT-8
典型关闭延迟时间	31 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
封装	Reel
Pd - Power Dissipation	2 W
通道数	1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	8.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
晶体管极性	N-Channel
上升时间	17 ns
技术	Si
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	6 ns

型号	厂家	产品描述
RQ3E130MNTB1	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
RQ3E150MNTB1	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

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