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| 规格书 |
 R5011FNX |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 520 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 包装材料 | Bulk |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16422?mpart=R5011FNX&vendor=846&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220FM |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 520 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 950pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 50 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220FM |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | R5011FNX |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 520 mOhms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
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