1. DTC123JEBTL
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

DTC123JEBTL 

产品描述

TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3

内部编号

293-DTC123JEBTL

生产厂商

Rohm Semiconductor

rohm

#1

数量:5884
1+¥1.6065
10+¥1.4878
25+¥1.0701
100+¥0.8312
250+¥0.5225
500+¥0.4454
1000+¥0.3028
最小起订量:1
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DTC123JEBTL产品详细规格

规格书 DTC123JEBTL datasheet 规格书
DTC123J Series
DTC123JEBTL datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 10mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 250MHz
功率 - 最大 150mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-75, SOT-416
供应商器件封装 EMT3
包装材料 Tape & Reel (TR)
单位包 3000
最小起订量 6000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
频率 - 转换 250MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 2.2k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 EMT3F
封装 Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 150mW
标准包装 3,000
封装/外壳 SC-89, SOT-490
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 10mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DTC123JEBTLCT
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 NPN
系列 DTC123JEB
直流集电极/增益hfe最小值 80
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
典型输入电阻 2.2 kOhms
Pd - Power Dissipation 150 mW
典型电阻器比率 21
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
品牌 ROHM Semiconductor
连续集电极电流 100 mA

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