#1 |
数量:7865 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:3376 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
DTC115E Series |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻 - 基地(R1)(欧姆) | 100k |
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) | 100k |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 82 @ 5mA, 5V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 3-SMT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 20mA |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
频率 - 转换 | 250MHz |
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) | 100k |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | SMT3 |
封装 | Tape & Reel (TR) |
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) | 100k |
功率 - 最大 | 200mW |
标准包装 | 3,000 |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
安装类型 | Surface Mount |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 82 @ 5mA, 5V |
其他名称 | DTC115EKAT146TR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
晶体管极性 | NPN |
配置 | Single |
典型输入电阻 | 100 KOhms |
直流集电极/增益hfe最小值 | 82 |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 200 mW |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
最低工作温度 | - 55 C |
典型电阻器比率 | 1 |
连续集电极电流 | 20 mA |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 100k |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA, 5V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
功率 - 最大值 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 100k |
系列 | DTC115EKA |
品牌 | ROHM Semiconductor |
直流电流增益hFE最大值 | 82 |
身高 | 1.1 mm |
宽度 | 1.6 mm |
长度 | 2.9 mm |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
P( TOT ) | 0.2 W |
I(C ) | 0.1 A |
V( CEO ) | 50 V |
极化 | NPN |
包装 | SOT23 |
电流增益 | 82 |
Leadfree Defin | RoHS-conform |
V( CBO ) | 50 V |
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