图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DRA2124E |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 22k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 22k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | Mini3-G3-B |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | Mini3-G3-B |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 22k |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 5mA, 10V |
| 其他名称 | DRA2124E0LCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大集电极发射极饱和电压 | -0.25 V |
| 最大集电极发射极电压 | -50 V |
| 最大连续集电极电流 | -100 mA |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最小直流电流增益 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | Mini3 G3 B |
| 引脚数 | 3 |
| 典型输入电阻 | 22 kΩ |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 宽度 | 1.5mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 100 mA |
| 品牌 | Panasonic |
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