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厂商型号

AOWF11S65 

产品描述

MOSFET N-CH 650V 11A TO262F

内部编号

28-AOWF11S65

#1

数量:998
1+¥14.227
25+¥11.459
100+¥10.313
250+¥9.167
500+¥8.021
1000+¥6.646
2500+¥6.188
5000+¥5.959
10000+¥5.729
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AOWF11S65产品详细规格

规格书 AOWF11S65 datasheet 规格书
AOW(F)11S65
AOx(F)F11S65
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 399 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 13.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 646pF @ 100V
功率 - 最大 28W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装 *
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 650V
标准包装 50
供应商设备封装 *
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 399 mOhm @ 5.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 28W
封装/外壳 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 646pF @ 100V
其他名称 AOWF11S65-ND
闸电荷(Qg ) @ VGS 13.2nC @ 10V

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