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规格书 |
AOW(F)11S65 AOx(F)F11S65 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 13.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 646pF @ 100V |
功率 - 最大 | 28W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | * |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | * |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 28W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 646pF @ 100V |
其他名称 | AOWF11S65-ND |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 13.2nC @ 10V |
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