规格书 |
AOW482 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 80V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.7V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 81nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4870pF @ 40V |
功率 - 最大 | 2.1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | TO-262 |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±25 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.57 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 333000 |
最大漏源电压 | 80 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 7.2@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-262 |
标准包装名称 | I2PAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.15 |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 8.78 |
最大连续漏极电流 | 105 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 105A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.7V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | TO-262 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.1W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4870pF @ 40V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 81nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |