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数量:1182 |
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| 规格书 |
 AO(T,B,TF)240L |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 85A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.9 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 72nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3510pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.9W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta), 105A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 其他名称 | 785-1384-5 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.9 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.9W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3510pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 72nC @ 10V |
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