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数量:50000 |
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规格书 |
![]() AON7934 |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 13A, 15A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 10.2 mOhm @ 13A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 11nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 485pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16694?mpart=AON7934&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 13A, 15A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
其他名称 | 785-1509-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 10.2 mOhm @ 13A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 485pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 11nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 485pF @ 15V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 10.2 mOhm @ 13A, 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
功率 - 最大值 | 2.5W |