图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

AON7934 

产品描述

MOSFET 2N-CH 30V 13A, 15A DFN3X3

内部编号

28-AON7934

#1

数量:50000
最小起订量:1
深圳
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

AON7934产品详细规格

规格书 AON7934 datasheet 规格书
AON7934
标准包装 5,000
FET 型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 13A, 15A
Rds(最大)@ ID,VGS 10.2 mOhm @ 13A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 11nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 485pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装 8-DFN-EP (3x3)
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16694?mpart=AON7934&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 13A, 15A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
供应商设备封装 8-DFN-EP (3x3)
其他名称 785-1509-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10.2 mOhm @ 13A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
功率 - 最大 2.5W
标准包装 5,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 485pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 11nC @ 10V
封装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏源极电压 (Vdss) 30V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 485pF @ 15V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 10.2 mOhm @ 13A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 11nC @ 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
封装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
功率 - 最大值 2.5W

AON7934系列产品

订购AON7934.产品描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A, 15A DFN3X3. 生产商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-82149008
    010-62155488
    010-82149921
    010-82149488
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-83975736
    0755-83997440
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67684200
    0512-67683728
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com