规格书 |
![]() AON7702B |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 13.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 810pF @ 15V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
供应商器件封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 20A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 5,000 |
供应商设备封装 | 8-DFN (3x3) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.1W |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 810pF @ 15V |
其他名称 | 785-1507-2 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 24nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
AON7702B相关搜索