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厂商型号

AON7522E 

产品描述

MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN

内部编号

28-AON7522E

#1

数量:10000
最小起订量:1
深圳
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#2

数量:22685
1+¥3.3374
10+¥2.8008
25+¥2.4527
100+¥2.1032
250+¥1.8226
500+¥1.5422
1000+¥1.1917
2500+¥1.0866
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#3

数量:9049
1+¥3.9116
10+¥3.2899
100+¥2.4692
500+¥1.8108
1000+¥1.3992
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AON7522E产品详细规格

规格书 AON7522E datasheet 规格书
AON7522E
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 21A
Rds(最大)@ ID,VGS 4 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 45nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1540pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
供应商器件封装 8-DFN-EP (3x3)
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16085?mpart=AON7522E&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 34A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
供应商设备封装 8-DFN (3x3)
其他名称 785-1505-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
标准包装 5,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1540pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 45nC @ 10V
封装/外壳 8-PowerVDFN
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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