规格书 |
![]() AON7522E |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 21A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 45nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1540pF @ 15V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
供应商器件封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16085?mpart=AON7522E&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 34A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-DFN (3x3) |
其他名称 | 785-1505-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.1W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1540pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 45nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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