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数量:6420 |
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| 规格书 |
 AON7406 |
| 文档 |
AON3xxx Series 8-DFN Side AON3xxx Series 8-DFN Top AON3xxx Series 8-DFN End MOSFET Wafer Supplier 29/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 25A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 18nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1200pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 27W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-DFN (3x3) |
| 其他名称 | 785-1137-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 888pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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