图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 AOD476 |
| 文档 |
AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Side AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Top |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 25A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 21 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 18nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 33.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 其他名称 | 785-1112-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 33.3W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 900pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 25 A |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 漏源导通电阻 | 0.021 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
AOD476也可以通过以下分类找到
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
