规格书 |
![]() AOD2606 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 14A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.8 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 75nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4050pF @ 30V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16085?mpart=AOD2606&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 46A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
其他名称 | 785-1477-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6.8 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 2,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4050pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 75nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |