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| 规格书 |
 AOB414 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 51A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 34nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2200pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 51A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 800 |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2200pF @ 50V |
| 其他名称 | 785-1209-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 删除 | Compliant |
| 连续漏极电流 | 51 A |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 功率耗散 | 150 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-263 |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
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