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| 规格书 |
 AO3414 |
| 文档 |
AO34xx Series SOT-23 Side AO34xx Series SOT-23 End AO34xx Series SOT-23 Top |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 50 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 436pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 其他名称 | 785-1009-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 50 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 436pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.2nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 3 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 1.4 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.05 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 436pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 50 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
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