图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TIP131G 

产品描述

Transistors Darlington 8A 80V Bipolar Power NPN

内部编号

277-TIP131G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:3122
1+¥4.4689
25+¥4.1607
100+¥4.0066
500+¥3.8525
1000+¥3.6213
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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TIP131G产品详细规格

规格书 TIP131G datasheet 规格书
TIP131, 132(G), 137(G)
文档 Multiple Devices 07/Jul/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装 50
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 30mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 4A, 4V
功率 - 最大 2W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 2@16mA@4A|3@30mA@6A
包装宽度 4.82(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
最大集电极发射极电压 80
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -65
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 8
包装长度 10.28(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 500@1A@4V|1000@4A@4V
包装高度 9.28(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 30mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 4A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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