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数量:3122 |
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规格书 |
TIP131, 132(G), 137(G) |
文档 |
Multiple Devices 07/Jul/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 30mA, 6A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 1000 @ 4A, 4V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
安装 | Through Hole |
最大集电极发射极饱和电压 | 2@16mA@4A|3@30mA@6A |
包装宽度 | 4.82(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 2000 |
类型 | NPN |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大集电极发射极电压 | 80 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 80 |
最低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
包装长度 | 10.28(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 500@1A@4V|1000@4A@4V |
包装高度 | 9.28(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 8A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 30mA, 6A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 1000 @ 4A, 4V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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