1. SMUN2113T1G
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厂商型号

SMUN2113T1G 

产品描述

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

内部编号

277-SMUN2113T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:216000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:3000
1+¥2.794
10+¥2.2981
100+¥1.2189
500+¥0.8017
1000+¥0.5452
最小起订量:1
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#3

数量:87000
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SMUN2113T1G产品详细规格

规格书 SMUN2113T1G datasheet 规格书
MUN(2,5)113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
包装 3SC-59
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 80@5mA@10V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SC-59
标准包装名称 SOT-23
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
筛选等级 Automotive
最低工作温度 -55
包装高度 1.09
典型输入电阻 47
最大功率耗散 300
封装 Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
包装宽度 1.5
PCB 3
包装长度 2.9
典型电阻器比率 1
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 47k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-59
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 230mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA, 10mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 47k
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA, 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值 230mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) 47k
系列 MUN2113
品牌 ON Semiconductor

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